ICS71.040.50 CCSN33 中华人民共和国国家标准 GB/T43748—2024 微束分析 透射电子显微术 集成电路芯片中功能薄膜层厚度的 测定方法 Microbeamanalysis—Transmissionelectronmicroscopy— Methodformeasuringthethicknessoffunctionalthinfilmsin integratedcircuitchips 2024-03-15发布 2024-10-01实施 国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会发布 目 次 前言 Ⅰ ………………………………………………………………………………………………………… 引言 Ⅱ ………………………………………………………………………………………………………… 1 范围 1 ……………………………………………………………………………………………………… 2 规范性引用文件 1 ………………………………………………………………………………………… 3 术语和定义 1 ……………………………………………………………………………………………… 4 符号和缩略语 2 …………………………………………………………………………………………… 5 方法原理 2 ………………………………………………………………………………………………… 6 仪器设备 3 ………………………………………………………………………………………………… 7 试样 3 ……………………………………………………………………………………………………… 8 试验步骤 4 ………………………………………………………………………………………………… 9 测量结果的不确定度评定 6 ……………………………………………………………………………… 10 试验报告 6 ………………………………………………………………………………………………… 附录A(资料性) SiN薄膜层厚度测量结果的不确定度评定示例 7 …………………………………… 参考文献 10 ……………………………………………………………………………………………………GB/T43748—2024 前 言 本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则 第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定 起草。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。 本文件由全国微束分析标准化技术委员会(SAC/TC38)提出并归口。 本文件起草单位:广东省科学院工业分析检测中心、南方科技大学、胜科纳米(苏州)股份有限公司。 本文件主要起草人:伍超群、于洪宇、乔明胜、陈文龙、周鹏、邱杨、黄晋华、汪青、程鑫。 ⅠGB/T43748—2024 引 言 功能薄膜材料及性能是先进集成电路(IntegratedCircuit,IC)制程中非常重要的基础性工艺技术 保障。在Si基芯片、GaN或SiC为基的宽禁带半导体功率及射频器件芯片、微小型发光二极管(Micro- Led)等微纳半导体元器件中,各类功能薄膜材料更具有显微结构复杂、化学组成多元的特点。先进集 成电路技术已经进入纳米技术时代。伴随着智能社会的临近以及5G技术的普及,未来移动通信、物联 网、智能健康医疗、工业物联网和智能驾驶等新兴集成电路产业远景正推动着先进集成电路芯片的智能 化、功能化、微型化的技术进程,成为半导体工业目前和未来技术发展的重要趋势和特征。万物互联和 器件多功能性造就未来集成电路器件的更多新材料新结构的独特属性。因此,集成电路芯片的纳米结 构、高纯材料、微量控制、界面工程等精准规范化分析测试技术成为未来半导体工业健康发展的重要技 术关键,纳米级多层功能薄膜材料及性能是超大规模集成电路制程中非常重要的基础性工艺技术保 障,准确获得纳米级多层功能薄膜层的厚度显得尤为重要。透射电子显微术独特的高空间分辨率已经 使其成为最重要的实现在纳米尺度下进行微观结构和微观化学组成分析检测的技术。在目前我国大力 发展各类半导体芯片产业的前提下,科研院所、高等院校、大型企业和各地分析测试中心等实验室都已 装备了大量透射电子显微镜/扫描透射电子显微镜(TEM/STEM),透射电子显微技术已广泛应用于半 导体器件研发/生产中纳米尺度材料的分析研究。 目前,尚没有适用于测量集成电路芯片多功能膜层厚度的相关标准,集成电路芯片的发展受到了严 重制约,制定新的国家标准、规范集成电路芯片功能薄膜层厚度的测定方法具有重要意义。 ⅡGB/T43748—2024