ICS29.045 H83 中华人民共和国国家标准 GB/T30867—2014 碳 碳化硅单晶片厚度和总厚度 变化测试方法 Testmethodformeasuringthicknessandtotalthicknessvariationof monocrystallinesiliconcarbidewafers 2014-07-24发布 2015-02-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会发布 前 言 本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)及材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC2)共同提出并归口。 本标准起草单位:中国电子科技集团公司第四十六研究所、中国电子技术标准化研究院。 本标准主要起草人:丁丽、周智慧、郝建民、蔺娴、何秀坤、刘筠、冯亚彬、裴会川。 ⅠGB/T30867—2014 碳化硅单晶片厚度和总厚度 变化测试方法 1 范围 本标准规定了碳化硅单晶片厚度及总厚度变化(TTV)的测试方法,包括接触式和非接触式两种 方式。 本标准适用于直径不小于30mm、厚度为0.13mm~1mm的碳化硅单晶片。 2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。 GB/T14264 半导体材料术语 GB/T25915.1—2010 洁净室及相关受控环境 第1部分:空气洁净度等级 3 术语和定义 GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件。 4 方法提要 4.1 接触式测量 接触式测量采用五点法。在碳化硅单晶片中心点和距碳化硅单晶片边缘D/10的圆周上4个对称 点位置测量碳化硅单晶片厚度,如图1所示。单晶片中心点厚度为标称厚度,5个厚度测量值中的最大 值和最小值的差值为碳化硅单晶片的总厚度变化。 说明:图中D为碳化硅单晶片直径。 图1 接触式测量的测量点位置 1GB/T30867—2014 4.2 非接触式测量 非接触式测量采用光干涉法。用真空吸盘吸持碳化硅单晶片试样的背面,使试样表面尽可能靠近 干涉仪的基准面,来自单色光源的平面波受到试样表面的反射,在空间迭加形成光干涉。由于所处光程 差不同,在屏幕上出现干涉条纹(见图2)。系统以真空吸盘为基准平面,分析得到的干涉条纹,可度量 试样总厚度变化。 图2 掠射入射干涉仪示意图 5 仪器设备 5.1 接触式测厚仪 5.1.1 测厚仪由带指示仪表的探头及支承单晶片的夹具或平台组成。 5.1.2 测厚仪应能使碳化硅单晶片绕平台中心旋转,并使每次测量定位在规定位置的2mm范围内。 5.1.3 仪表最小指示量值不大于1μm。 5.1.4 测量时探头与碳化硅单晶片接触面积不应超过2mm2。 5.2 非接触式测厚仪 5.2.1 掠射入射干涉仪:由单色光源、聚焦透镜、毛玻璃散射盘、准直透镜、棱镜、目镜和观察屏组成。 仪器灵敏度优于0.1μm,并可调节其灵敏度大小。 2GB/T30867—2014