书 书 书犐犆犛 ２９ ． ０４５ 犎 ８３ 中华人民共和国国家标准 犌犅 ／ 犜 １１０９３ — ２００７ 代替 ＧＢ ／ Ｔ１１０９３ — １９８９ 液封直拉法砷化镓单晶及切割片 犔犻狇狌犻犱犲狀犮犪狆狊狌犾犪狋犲犱犮狕狅犮犺狉犪犾狊犽犻犵狉狅狑狀犵犪犾犾犻狌犿犪狉狊犲狀犻犱犲狊犻狀犵犾犲犮狉狔狊狋犪犾狊犪狀犱 犪狊犮狌狋狊犾犻犮犲狊 ２００７  ０９  １１ 发布 ２００８  ０２  ０１ 实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会 发布 书 书 书前 　　 言 　　 本标准是对 ＧＢ ／ Ｔ１１０９３ — １９８９ 《 液封直拉法砷化镓单晶及切割片 》 的修订 。 本标准与 ＧＢ ／ Ｔ１１０９３ — １９８９ 相比 ， 主要有如下变动 ： ——— 单晶和切割片的牌号按照 ＧＢ ／ Ｔ１４８４４ 《 半导体材料牌号表示方法 》 进行了修订 ； ——— 增加了 ７６．２ｍｍ （ ３ｉｎ ）、 １００ｍｍ 、 １２５ｍｍ 和 １５０ｍｍ 规格的产品 ； ——— 增加了掺入碳等杂质元素的产品 ； ——— 去掉了 ４０ｍｍ 规格的产品 ； ——— 取消了按位错密度对产品进行分级 。 本标准自实施之日起 ， 代替 ＧＢ ／ Ｔ１１０９３ — １９８９ 。 本标准由中国有色金属工业协会提出 。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口 。 本标准起草单位 ： 北京有色金属研究总院 。 本标准主要起草人 ： 张峰翊 、 郑安生 。 本标准所代替标准的历次版本发布情况为 ： ——— ＧＢ ／ Ｔ１１０９３ — １９８９ 。 Ⅰ 犌犅 ／ 犜 １１０９３ — ２００７ 液封直拉法砷化镓单晶及切割片 １ 　 范围 本标准规定了液封直拉法砷化镓单晶及切割片的要求 、 试验方法 、 检验规则和标志 、 包装运输贮 存等 。 本标准适用于液封直拉法制备的砷化镓单晶及其切割片 。 产品供制作微波器件 、 集成电路 、 光电器 件 、 传感元件和红外线窗口等元器件用材料 。 ２ 　 规范性引用文件 下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款 。 凡是注日期的引用文件 ， 其随后所有 的修改单 （ 不包括勘误的内容 ） 或修订版均不适用于本标准 ， 然而 ， 鼓励根据本标准达成协议的各方研究 是否可使用这些文件的最新版本 。 凡是不注日期的引用文件 ， 其最新版本适用于本标准 。 ＧＢ ／ Ｔ１５５５ 　 半导体单晶晶向测定方法 ＧＢ ／ Ｔ２８２８．１ 　 计数抽样检验程序 　 第 １ 部分 ： 按接收质量限 （ ＡＱＬ ） 检索的逐批检验抽样计划 ＧＢ ／ Ｔ４３２６ 　 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法 ＧＢ ／ Ｔ８７６０ 　 砷化镓单晶位错密度测量方法 ＧＢ ／ Ｔ１３３８７ 　 电子材料晶片参考面长度测量方法 ＧＢ ／ Ｔ１４２６４ 　 半导体材料术语 ＧＢ ／ Ｔ１４８４４ 　 半导体材料牌号表示方法 ＧＪＢ１９２７ 　 砷化镓单晶材料测试方法 ３ 　 要求 ３ ． １ 　 产品分类 产品按导电类型和电阻率分为半绝缘型 （ ＳＩ 型 ）， 低阻导电型 （ ｎ 型和 ｐ 型 ）。 ３ ． ２ 　 牌号 ３ ． ２ ． １ 　 单晶的牌号表示为 ＬＥＣＧａＡｓ □ （）             ＜＞           表示砷化镓单晶的生长方法为液封直拉法   砷化镓材料的分子式 　 导电类型 ， 扩号内元素符号为掺杂剂 ， 如果有两个或两个以上的掺杂剂 ， 中间用 “ ＋ ”   连接  用密勒指数表示的晶向 若单晶不强调生产方法或不掺杂时 ， 其相应牌号部分可以省略 。 示例 ： ＬＥＣＧａＡｓＳＩ ＜ １００ ＞ 表示液封直拉法半绝缘 ＜ １００ ＞ 方向砷化镓单晶 ； ＬＥＣＧａＡｓｎ （ Ｔｅ ）  ＜ １００ ＞ 表示液封直拉法掺碲 （ Ｔｅ ） ｎ 型 ＜ １００ ＞ 方向砷化镓单晶 ； ＬＥＣＧａＡｓＳＩ （ Ｃｒ＋Ｏ ）  ＜ １００ ＞ 表示液封直拉法铬 （ Ｃｒ ） 氧 （ Ｏ ） 双掺半绝缘 ＜ １００ ＞ 方向砷化镓单晶 。 １ 犌犅 ／ 犜 １１０９３ — ２００７ ３ ． ２ ． ２ 　 单晶切割片的牌号表示为 ＬＥＣＧａＡｓＣＷ □ （）                ＜＞              表示砷化镓单晶的生长方法为液封直拉法           砷化镓材料的分子式        表示晶片为切割片 　 导电类型 ， 扩号内元素符号为掺杂剂 ， 如果有两个或两个以上 的掺杂剂 ， 中间用 “ ＋ ”   连接  用密勒指数表示的晶向 若单晶不强调生产方法或不掺杂时 ， 其相应牌号部分可以省略 。 示例 ： ＬＥＣＧａＡｓＣＷＳＩ ＜ １００ ＞ 表示液封直拉法半绝缘 ＜ １００ ＞ 方向砷化镓单晶切割片 ； ＬＥＣＧａＡｓＣＷｐ （ Ｚｎ ）  ＜ １００ ＞ 表示液封直拉法掺锌 （ Ｚｎ ） ｐ 型 ＜ １００ ＞ 方向砷化镓单晶切割片 ； ＬＥＣＧａＡｓＣＷＳＩ （ Ｃｒ＋Ｏ ）  ＜ １００ ＞ 表示液封直拉法铬 （ Ｃｒ ） 氧 （ Ｏ ） 双掺半绝缘 ＜ １００ ＞ 方向砷化镓单晶切割片 。 ３ ． ３ 　 单晶 ３ ． ３ ． １ 　 单晶生长方向为 ＜ １００ ＞ 、 ＜ １１１ ＞ 或由供需双方协商确定 。 ３ ． ３ ． ２ 　 低阻导电型单晶的规格尺寸 、 掺杂剂 、 载流子浓度 、 迁移率和位错密度 ３ ． ３ ． ２ ． １ 　 单晶规格尺寸 滚圆后单晶直径如表 １ 。 表 １ 　 低阻导电型单晶的规格尺寸 单位为毫米 单晶规格 ５０．８ ７６．２ １００ 允许偏差上偏差 ＋１．０ ＋１．０ ＋１．０ 下偏差 ＋０．２ ＋０．２ ＋０．２ ３ ． ３ ． ２ ． ２ 　 掺杂剂 ｎ 型掺杂剂一般包括 Ｓｉ 、 Ｓ 、 Ｓｅ 、 Ｔｅ 、 Ｓｎ ； ｐ 型掺杂剂一般包括 Ｚｎ 、 Ｃｄ 、 Ｂｅ 、 Ｍｎ 、 Ｃｏ 、 Ｍｇ ； 电子杂质一般 包括 Ｉｎ 、 Ａｌ 、 Ｐ 、 Ｓｂ 等 。 ３ ． ３ ． ２ ． ３ 　 载流子浓度和迁移率 ３ ． ３ ． ２ ． ３ ． １ 　 ｎ 型单晶载流子浓度 ａ ） 　≤ ４×１０ １６ ｃｍ －３ ； ｂ ） 　＞ ４×１０ １６ ｃｍ －３ ～ １×１０ １７ ｃｍ －３ ； ｃ ） 　＞ １×１０ １７ ｃｍ －３ ～ ５×１０ １７ ｃｍ －３ ； ｄ ） 　＞ ５×１０ １７ ｃｍ －３ ～ ３×１０ １８ ｃｍ －３ ； ｅ ） 　＞ ３×１０ １８ ｃｍ －３ ； ｆ ） 　 其他 ｎ 型单晶载流子浓度范围由供需双方协商确定 。 ３ ． ３ ． ２ ． ３ ． ２ 　 ｎ 型单晶电子迁移率 ａ ） 　≥ ４０００ｃｍ ２ ／（ Ｖ · ｓ ）； ｂ ） 　≥ ２５００ｃｍ ２ ／（ Ｖ · ｓ ）； ｃ ） 　≥ １５００ｃｍ ２ ／（ Ｖ · ｓ ）； ｄ ） 　≥ １０００ｃｍ ２ ／（ Ｖ · ｓ ）； ｅ ） 　≥ ４００ｃｍ ２ ／（ Ｖ · ｓ ）； ｆ ） 　 其他电子迁移率由供需双方协商确定 。 ２ 犌犅 ／ 犜 １１０９３ — ２００７